Fechar

1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m16.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZsFDuKxG/CxdNd
Repositóriosid.inpe.br/marciana/2004/06.22.10.54   (acesso restrito)
Última Atualização2008:02.19.11.54.24 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/marciana/2004/06.22.10.54.02
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.01.20.53 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE-10740-PRE/6199
DOI10.1016/S0925-9635(01)00468-X
ISBN/ISSN0925-9635
ISSN0925-9635
Chave de CitaçãoSilvaCoraSilv:2001:InCFAd
TítuloInfluence of CF4 addition for HFCVD diamond growth on silicon nitride substrates
ProjetoDIMARE: Diamante e materiais relacionados
Ano2001
MêsNov.
Data de Acesso18 maio 2024
Tipo SecundárioPRE PI
Número de Arquivos1
Tamanho1794 KiB
2. Contextualização
Autor1 Silva, V. A.
2 Corat, Evaldo José
3 Silva, C. R. M.
Identificador de Curriculo1
2 8JMKD3MGP5W/3C9JH33
Grupo1
2 LAS-INPE-MCT-BR
Afiliação1 Universidade de Aveiro, Department of Ceramic and Glass Engineering, Campus Universitário Santiago (UA.UIMC)
2 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS)
3 Centro Tecnico da Aeronautica (CTA.IAE.AMR)
RevistaDiamond and Related Materials
Volume10
Número11
Páginas2002-2009
Histórico (UTC)2006-09-28 22:25:42 :: administrator -> marciana ::
2008-02-19 11:54:24 :: marciana -> administrator ::
2018-06-05 01:20:53 :: administrator -> marciana :: 2001
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Palavras-ChaveMATERIALS PHYSICS
Diamond films
Sintering
Silicon nitride
Halogen
Intergranular phases
FÍSICA DE MATERIAIS
Filmes de diamante
Nitrato de silicone
Halogêneo
Fase intergranular
ResumoThis work presents a study of CVD diamond growth on silicon nitride-based ceramics with the addition of carbon tetrafluoride (CF4) in a hot filament-assisted reactor (HFCVD). Silicon nitride substrates were hot pressed under a nitrogen atmosphere for 90 min at 1750 degreesC, giving specimens of very high density and good mechanical properties. The CF4 addition is known to bring several advantages to diamond growth and, in particular, in this work, an important interaction of the CF4-containing gas phase with the silicon nitride (Si3N4) substrates has been proven to be very beneficial for nucleation, growth and adherence of the diamond films. A basic gas mixture of H-2/1.5 vol.% CH4/0.5 vol.% CF4 was used in the growth experiments. The nucleation study reveals a strong interaction of the halogen-containing gas phase with the vitreous phase on the substrate surface. A strong erosion of the surface has been observed, which induced a high nucleation density (N-d) of the order of 10(8) particles cm(-2), without any surface pre-treatment. Silicon nitride surface analysis was performed with Raman and infrared specular reflectance spectroscopy. Results suggest the erosion of the vitreous phase, mainly the silica (SiO2) component, and the formation of silicon carbide, prior to diamond growth. Raman spectra and scanning electron microscopy (SEM) show better quality film grown with CF4 addition. Indentation tests with a Rockwell C tip, at variable charge, show a better film adherence if grown with CF4 addition.
ÁreaFISMAT
Arranjourlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Influence of CF4...
Conteúdo da Pasta docacessar
Conteúdo da Pasta sourcenão têm arquivos
Conteúdo da Pasta agreementnão têm arquivos
4. Condições de acesso e uso
Idiomaen
Arquivo Alvoinfluence.pdf
Grupo de Usuáriosadministrator
marciana
Visibilidadeshown
Detentor da CópiaSID/SCD
Política de Arquivamentodenypublisher denyfinaldraft24
Permissão de Leituradeny from all and allow from 150.163
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
DivulgaçãoWEBSCI; PORTALCAPES; COMPENDEX.
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel documentstage e-mailaddress electronicmailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress readergroup rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url versiontype
7. Controle da descrição
e-Mail (login)marciana
atualizar 


Fechar